搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

王晓东 刘会赟 牛智川 封松林

引用本文:
Citation:

不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

王晓东, 刘会赟, 牛智川, 封松林

STUDY OF SELF-ASSEMBLED InAs QUANTUM DOT STRUCTURE COVERED BY InxGa1-xAs(0≤x≤0.3) CAPPING LAYER

WANG XIAO-DONG, LIU HUI-YUN, NIU ZHI-CHUAN, FENG SONG-LIN
PDF
导出引用
  • 研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响.透射电子显微镜和原子力显微镜表明,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小,并且x=0.3时,InGaAs在InAs量子点上继续成岛.随x值的增大,量子点的光荧光峰红移,但随温度的变化发光峰峰位变化不明显.理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因.
    InAs self-assembled quantum dots(QDs) covered by 3-nm-thick InxGa1-xAs(0≤x≤0.3) capping layer have been grown on GaAs(100) substrate.Transmission electron microscopy shows that InGaAs layer reduces the strain in the InAs islands,and atomic force microscopy evidences the deposition of InGaAs on the top of InAs islands when x=0.3.The significant redshift of the photoluminescence (PL) peak energy and the reduction of PL linewidth of InAs quantum dots covered by InGaAs are observed.In addition,InGaAs overgrowth layer suppresses the temperature sensitivity of PL peak energy.Based on our analysis,the strain-reduction and the size distribution of the InAs QDs are the main cause of the redshift and temperature insensitivity of the PL respectively.
    • 基金项目: 国家攀登计划(批准号:19823001)和国家自然科学基金(批准号:69776016)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  6850
  • PDF下载量:  620
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2000-01-07
  • 修回日期:  2000-05-25
  • 刊出日期:  2000-11-20

/

返回文章
返回