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镶嵌在SiO2薄膜中InAs纳米颗粒的Raman散射

石建中 邵庆益 朱开贵

镶嵌在SiO2薄膜中InAs纳米颗粒的Raman散射

石建中, 邵庆益, 朱开贵
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-03-15
  • 修回日期:  2000-06-03
  • 刊出日期:  2000-11-20

镶嵌在SiO2薄膜中InAs纳米颗粒的Raman散射

  • 1. (1)Data Storage Institute,National University of Singapore,Singapore 119260; (2)北京大学电子学系,北京 100871; (3)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,合肥 230026

摘要: 对镶嵌在SiO2薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究.与大块InAs晶体相比,InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征,即由纵光学声子模和横光学声子模组成,但是散射峰宽化并红移.用声子限域效应解释了散射峰的红移现象,并结合InAs纳米颗粒的应力效应解释了红移量与理论值的差异.

English Abstract

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