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半导体PbS纳米微粒的三阶非线性光学特性

物理学报, 2000, 49(2): 324-327.
DOI: 10.7498/aps.49.324
CSTR: 32037.14.aps.49.324

Acta Phys. Sin., 2000, 49(2): 324-327.
DOI: 10.7498/aps.49.324
CSTR: 32037.14.aps.49.324
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  • 摘要

    用Z扫描技术,以锁模Nd:YAG激光器发出的脉宽为50ps激光作光源,在530nm和1060nm波长光作用下,研究了半导体PbS纳米微粒的非线性光学特性.结果发现在530nm激光作用下,样品有饱和吸收现象,而在1060nm激光作用下,双光子吸收出现,同时还研究了PbS纳米微粒对这两种光的限幅特性

     

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