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两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究

柴春林 卢正启 赖武彦

两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究

柴春林, 卢正启, 赖武彦
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-12-24
  • 修回日期:  1999-05-17
  • 刊出日期:  2000-01-05

两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究

  • 1. (1)北京科技大学应用科学学院,北京100083;; (2)中国科学院物理研究所,凝聚态物理中心和磁学国家重点实验室,北京100080
    基金项目: 

    中国科学院基金!(批准号 :KJ95 1 A1 40 1)

    国家自然科学基金!(批准号 :19890 3 10 )资助的课题

摘要: 采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值~26%,交换耦合场~28kA/m,层间耦合场~01kA/m.自旋阀的下部(缓冲层(Ta)/自由层(NiFe)/中间隔离层(Cu))在低氩气压下沉积、上部(被钉扎层(NiFe)/反铁磁钉扎层(FeMn)/覆盖层(Ta))则在高氩气压下沉积.前者保证了自旋阀具有强(111)晶体织构,平整的NiFe/Cu界面和致密的Cu层,抑制了层间耦合作用;后者则促进小尺寸磁畴生长和增加NiFe/FeM

English Abstract

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