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薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究

刘红侠 方建平 郝跃

薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究

刘红侠, 方建平, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-11-24
  • 刊出日期:  2001-06-20

薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

摘要: 通过衬底热载流子注入技术,对薄SiO2层击穿特性进行了研究.与通常的F-N应力实验相比较,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性.通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明,热电子注入和F-N隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释.热空穴注入的实验结果表明薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定.提出了全新的热载流子增强的薄栅氧化层经时击穿模型

English Abstract

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