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掺Gd3+,Y3+对PbWO_4低温热释光的影响

周东方 戚泽明 刘波 施朝淑 汤洪高 胡关钦

掺Gd3+,Y3+对PbWO_4低温热释光的影响

周东方, 戚泽明, 刘波, 施朝淑, 汤洪高, 胡关钦
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-02-13
  • 修回日期:  2001-03-12
  • 刊出日期:  2001-08-20

掺Gd3+,Y3+对PbWO_4低温热释光的影响

  • 1. (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (2)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (3)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029;中国科学技术大学物理系,合肥230026; (4)中国科学技术大学物理系,合肥230026; (5)中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59732040和19774053)资助的课题.

摘要: 通过热释光方法研究了PbWO4(PWO),PWO:Y3+,PWO:Gd3+多晶粉末及PWO,PWO:Y单晶的低温(3+或Gd3+都会大大降低甚至消除200K附近的热释光峰,同时产生新的热释光峰,分别位于125和150K(掺Y掺Gd).这表明掺三价离子除了起到电荷补偿作用以减少Pb3+,O-浓度外,还可以产生新的陷阱能级.对于PWO:Y单晶,掺杂Y3+可以消除253K的热释光峰,即消除较深(~0.89eV)的陷阱,但PWO单晶中较浅的陷阱(~0.42eV)对应130K热释光峰仍然存在,对此进行讨论,它最可能源于氧空位缺陷.根据Pb3+,Gd3+,Y3+的电子库仑势不同,在PWO晶体中替代Pb2+后形成的电子陷阱深度有别(EPb>EGd>EY),从而解释了相应的热释光峰值温度的不同

English Abstract

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