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用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导

张德恒 刘云燕 张德骏

用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导

张德恒, 刘云燕, 张德骏
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-09-24
  • 修回日期:  2001-04-18
  • 刊出日期:  2001-09-20

用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导

  • 1. 山东大学物理系,济南250100
    基金项目: 

    山东省自然科学基金(批准号:Y96A12016)资助的课题.

摘要: 报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应,而且光响应弛豫时间也较短.在弱光范围,光响应随光强的变小呈线性减弱,且光响应的弛豫时间变长.

English Abstract

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