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Ta,Ta/Cu缓冲层对NiFe/Fe Mn双层膜交换偏置场的影响

李明华 于广华 姜宏伟 蔡建旺 朱逢吾

Ta,Ta/Cu缓冲层对NiFe/Fe Mn双层膜交换偏置场的影响

李明华, 于广华, 姜宏伟, 蔡建旺, 朱逢吾
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  • 采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的一系列NiFe/FeMn双层膜.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大.测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分.结果表明,以Ta/Cu为缓冲层时,Cu在NiFe层的上表面偏聚是造成NiFe/FeMn双层膜交换偏置场降低的重要原因.
    • 基金项目: 国家自然科学基金重大项目(批准号:19890310)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-06-07
  • 刊出日期:  2001-11-20

Ta,Ta/Cu缓冲层对NiFe/Fe Mn双层膜交换偏置场的影响

  • 1. (1)北京科技大学材料物理系,北京100083; (2)首都师范大学物理系,北京100037; (3)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080; (4)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080;北京科技大学材料物理系,北京100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大项目(批准号:19890310)资助的课题.

摘要: 采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的一系列NiFe/FeMn双层膜.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大.测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分.结果表明,以Ta/Cu为缓冲层时,Cu在NiFe层的上表面偏聚是造成NiFe/FeMn双层膜交换偏置场降低的重要原因.

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