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激光诱导多孔硅晶格畸变的Raman光谱和光致发光谱研究

梁二军 晁明举

激光诱导多孔硅晶格畸变的Raman光谱和光致发光谱研究

梁二军, 晁明举
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-12
  • 修回日期:  2001-06-08
  • 刊出日期:  2001-11-20

激光诱导多孔硅晶格畸变的Raman光谱和光致发光谱研究

  • 1. 郑州大学河南省激光应用技术重点实验室,郑州450052
    基金项目: 

    河南省高等学校创新人才基金(批准号:1999125)

    国家自然科学基金(批准号:19904011)资助的课题.

摘要: 研究了掺钛水热法制备多孔硅的Raman光谱和光致发光谱.实验发现,当激光功率较低时,多孔硅的Raman光谱在略低于520cm-1附近表现为一锐的单峰,和晶体硅的Raman光谱类似.随激光功率增大,该单峰向低波数移动,Raman和光致发光峰的强度与激光强度的一次方成正比.当激光功率增大到一定值时,该单峰分裂成两个Raman峰,光致发光谱的强度突然增大,与激光强度之间不再满足一次方的关系,位于低波数一侧的Raman峰随激光功率增大进一步向低波数移动.多孔硅Raman光谱随激光功率的变化是

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