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a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究

杨富华 王永谦 陈长勇 陈维德 刁宏伟 许振嘉 张世斌 孔光临 廖显伯

a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究

杨富华, 王永谦, 陈长勇, 陈维德, 刁宏伟, 许振嘉, 张世斌, 孔光临, 廖显伯
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-30
  • 修回日期:  2001-06-22
  • 刊出日期:  2001-12-20

a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083; (2)中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室北京100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69976028)

    国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2000028201)资助的课题.

摘要: 以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氢化非晶硅氧(a-Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究.结果表明a-Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构,富Si相镶嵌于富O相之中,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅(a-Si),富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiOx∶H(x≈1.35).经1150℃高温退火,薄膜中的H全部释出;SiOx∶H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同

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