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分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

苑进社 陈光德 齐鸣 李爱珍 徐卓

分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

苑进社, 陈光德, 齐鸣, 李爱珍, 徐卓
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-02-25
  • 修回日期:  2001-05-05
  • 刊出日期:  2001-06-05

分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

  • 1. (1)西安交通大学电子材料研究所,西安710049; (2)西安交通大学应用物理系,西安710049; (3)西安交通大学应用物理系,西安710049,西安理工大学应用物理系,西安710048; (4)中国科学院上海冶金研究所,上海200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19874049)资助的课题.

摘要: 用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延(MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现红外分子束外延(RFMBE)生长的富镓GaN薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为物理吸附,而O在GaN表面形成局域化学键产生氧络合物覆盖层,并形成一定的深度分布.杂质O在GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级,使得带隙变窄室温光吸收谱向低能方向移动,光致发光谱出现宽带发光峰.从而影响GaN薄膜的电学和光学性质

English Abstract

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