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Si3N4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究

汪雷 唐景昌 王学森

Si3N4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究

汪雷, 唐景昌, 王学森
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-10-01
  • 修回日期:  2000-10-21
  • 刊出日期:  2001-03-20

Si3N4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究

  • 1. (1)香港科技大学物理系,香港; (2)浙江大学物理系,杭州310027; (3)浙江大学物理系,杭州310027,香港科技大学物理系,香港
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19974036)

    香港SAR科研补助金委员会(批准号:HKUST6127/97P

    HKUST6154/99P)资助的课题.

摘要: 利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变.在生长早期T为350—1075K范围内,Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇,这些团簇的大小均在几个纳米范围内,并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合.当生长继续时,Si的晶体小面开始显现.在晶态的Si3N4(0001)/S

English Abstract

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