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Zn0.04Cd0.96Te中深能级的红外光电导谱研究

袁先漳 裴慧元 陆卫 李宁 史国良 方家熊 沈学础

Zn0.04Cd0.96Te中深能级的红外光电导谱研究

袁先漳, 裴慧元, 陆卫, 李宁, 史国良, 方家熊, 沈学础
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-10-05
  • 刊出日期:  2001-04-20

Zn0.04Cd0.96Te中深能级的红外光电导谱研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:G1998061404)

    国家自然科学基金(批准号:10074068)资助的课题.

摘要: 应用红外光电导谱研究半绝缘p型Zn0.04Cd0.96Te中的深能级,在温度从4.2到165K范围内,观察到了位于0.24,0.34,0.38,0.47,0.55和0.80eV处6个光电导响应峰.结合4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果,对这些响应峰对应的深能级特性进行了讨论

English Abstract

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