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La调节Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的相变与电学性质

刘鹏 姚熹

La调节Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的相变与电学性质

刘鹏, 姚熹
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-10-18
  • 修回日期:  2001-12-02
  • 刊出日期:  2005-05-30

La调节Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的相变与电学性质

  • 1. (1)陕西师范大学物理学与信息技术学院,西安710062; (2)同济大学功能材料研究所,上海200092

摘要: 利用X射线衍射、弱场介电温度谱、强场极化强度研究了不同La含量(Pb1-xLa2x3)(Zr06Sn03Ti01)O3(000≤x≤012)(PLZSnT)陶瓷的相变与电学特性.实验发现,随La含量增大,室温下材料由铁电三方相(x=000)转变为反铁电四方相(003≤x≤009)和立方相(x=012).介电测试表明,La含量增大,反铁电→顺电相变温度降低,峰值介电常量减小.在x=006的PLZSnT三元相图中,反铁电四方相区扩大到Ti含量约为18at%,该系统反铁电陶瓷具有“窄、斜”型双电滞回线和“三电滞回线”;在高Zr、高Sn区,反铁电→顺电相变呈现弥散相变和介电频率色散特征,即反铁电极化弛豫现象.从ABO3钙钛矿结构的容忍因子(t)和反铁电相的结构特征出发,讨论了La对Pb(Zr,Sn,Ti)O3相变与电学性质的影响机理

English Abstract

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