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用离子束增强沉积从V2O5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜

李金华 袁宁一 陈王丽华 林成鲁

用离子束增强沉积从V2O5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜

李金华, 袁宁一, 陈王丽华, 林成鲁
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-11-01
  • 修回日期:  2001-12-10
  • 刊出日期:  2005-05-31

用离子束增强沉积从V2O5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜

  • 1. (1)江苏石油化工学院信息科学系,常州213016)2;香港理工大学应用物理系及材料研究中心,香港,九龙)3;中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,上海200050; (2)江苏石油化工学院信息科学系,常州213016)2;香港理工大学应用物理系及材料研究中心,香港,九龙)4;中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050; (3)香港理工大学应用物理系及材料研究中心,香港,九龙; (4)中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050)
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 2 7)资助的课题~~

摘要: 采用了一种用离子束增强沉积从V2O5粉末直接制备VO2薄膜的新方法,将纯度为997%的V2O5粉末压成溅射靶,在用Ar离子束溅射的同时,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,使沉积膜中V2O5的V—O键断裂,进而被注入的氢还原,退火后获得热电阻温度系数(TCR)高达4%的VO2薄膜.高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力,使薄膜的转换温度降低、电阻温度曲线斜率变大,是薄膜TCR增大的原因

English Abstract

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