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源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

辛煜 宁兆元 程珊华 江美福 许圣华 叶超 黄松 杜伟 陆新华

源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

辛煜, 宁兆元, 程珊华, 江美福, 许圣华, 叶超, 黄松, 杜伟, 陆新华
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-11-20
  • 修回日期:  2002-01-19
  • 刊出日期:  2005-05-31

源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

  • 1. (1)苏州大学物理系,薄膜材料省重点实验室,苏州215006; (2)苏州大学物理系,薄膜材料省重点实验室,苏州215006;
    基金项目: 

    江苏省自然科学基金 (批准号 :0 0KJB43 0 0 0 1)

    国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 48)资助的课题

摘要: 采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键

English Abstract

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