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载流子迁移率对单层有机发光二极管复合效率的影响

彭景翠 李宏建 瞿述 罗小华 许雪梅

载流子迁移率对单层有机发光二极管复合效率的影响

彭景翠, 李宏建, 瞿述, 罗小华, 许雪梅
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-01-07
  • 修回日期:  2002-03-06
  • 刊出日期:  2002-05-05

载流子迁移率对单层有机发光二极管复合效率的影响

  • 1. (1)湖南大学应用物理系,长沙410082; (2)湖南大学应用物理系,长沙410082,中南大学物理科学与技术学院,长沙410083
    基金项目: 

    湖南省自然科学基金 (批准号 :98JJY2 0 47)资助课题~~

摘要: 建立了在单层有机发光二极管中电场强度不太大(E≤104Vcm)的情况下,载流子注入、传输和复合的理论模型.通过求解非线性Painleve方程得出了电场强度随坐标变化的解析函数关系式以及电流密度随电压变化关系,给出了电流密度以及器件的复合效率在不同的载流子迁移率情况下随电压变化关系图像.结果表明,复合效率受载流子迁移率影响较大,在器件中多数载流子应具有较低的迁移率,而少数载流子应具有较高的迁移率,这样有利于载流子的注入和传输,从而可提高发光效率.并且得出当空穴迁移率大于电子迁移率时,复合区域偏向阴极,反之亦

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