中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

李养贤; 刘何燕; 牛萍娟; 刘彩池; 徐岳生; 杨德仁; 阙端鳞

doi:10.7498/aps.51.2407

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中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

李养贤 , 刘何燕 , 牛萍娟 , 刘彩池 , 徐岳生 , 杨德仁 , 阙端鳞

中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

李养贤, 刘何燕, 牛萍娟, 刘彩池, 徐岳生, 杨德仁, 阙端鳞

物理学报. 2002, 51(10): 2407-2410.

doi: 10.7498/aps.51.2407.

摘要
对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究.结果表明:经中子辐照后,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区.清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制,清洁区一旦形成,就不随退火时间变化.大量的缺陷在中子辐照时产生,并同硅中氧相互作用,加速了硅片体内氧的沉淀,是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位

关键词:
本征吸除 /

中子辐照 /

直拉硅
作者及机构信息
李养贤¹,

刘何燕¹,

牛萍娟¹,

刘彩池¹,

徐岳生¹,

杨德仁²,

阙端鳞²

(1)河北工业大学材料学院,天津300130; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

基金项目: 国家自然科学重点基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 );河北省自然科学基金;天津市自然科学基金重点资助课题~~
参考文献

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物理学报. 2002, 51(10): 2407-2410.

doi: 10.7498/aps.51.2407.

中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

1. (1)河北工业大学材料学院,天津300130; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

基金项目:

国家自然科学重点基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 )

河北省自然科学基金

天津市自然科学基金重点资助课题~~

收稿日期: 2002-05-14
修回日期: 2002-06-10
刊出日期: 2002-05-05

摘要: 对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究.结果表明:经中子辐照后,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区.清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制,清洁区一旦形成,就不随退火时间变化.大量的缺陷在中子辐照时产生,并同硅中氧相互作用,加速了硅片体内氧的沉淀,是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位

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(1)河北工业大学材料学院,天津300130; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

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1. (1)河北工业大学材料学院,天津300130; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

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(1)河北工业大学材料学院,天津300130; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027