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GaN及其Ga空位的电子结构

何军 郑浩平

GaN及其Ga空位的电子结构

何军, 郑浩平
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-07-22
  • 修回日期:  2002-04-10
  • 刊出日期:  2005-06-21

GaN及其Ga空位的电子结构

  • 1. 同济大学玻尔固体物理研究所,上海200092
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :6 9876 0 2 8)资助的课题

摘要: 用团簇埋入自洽计算法对宽禁带半导体GaN的电子结构进行了自旋极化的、全电子、全势场的从头计算,得到了与实验值符合的GaN晶体禁带宽度以及价带中N2p带、N2s带和Ga3d带之间的相对位置.在此基础上Ga空位计算(无晶格畸变)显示,Ga空位周围的费米面显著高于正常GaN晶格的费米面.因此Ga空位周围N原子的处于费米面上的2p电子很易被激发成正常晶格处的传导电子

English Abstract

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