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Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平 闫隆 解思深 庞世谨 高鸿钧

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平, 闫隆, 解思深, 庞世谨, 高鸿钧
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-07-03
  • 修回日期:  2001-07-25
  • 刊出日期:  2005-05-10

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

  • 1. 中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01

    6 0 0 710 0 9)资助的课题~~

摘要: 用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.

English Abstract

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