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分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

C.L.Yang J.Wang Z.H.Ma I.K.Sou WeikunGe 卢励吾 王占国

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

C.L.Yang, J.Wang, Z.H.Ma, I.K.Sou, WeikunGe, 卢励吾, 王占国
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-30
  • 修回日期:  2002-08-28
  • 刊出日期:  2002-01-05

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

  • 1. (1)香港科技大学物理系,香港九龙清水湾; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 76 0 0 8)

    国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 6 83)

    香港科技大学 (批准号 :HKUST6 135 97P)资助的课题~

摘要: 分别应用光致发光、电容电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的011eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.

English Abstract

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