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离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究
陈贵宾 , 陆卫 , 缪中林 , 李志锋 , 蔡炜颖 , 沈学础 , 陈昌明 , 朱德彰 , 胡钧 , 李明乾
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(1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800; (3)中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800
国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 6 8)
国家重点基础研究项目 (批准号 :G19980 6 14 0 4)资助的课题~~
摘要: 采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAsAlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心.
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