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La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率

余旻 杨宏顺 阮可青 李鹏程 李慧玲 柴一晟 曹烈兆

La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率

余旻, 杨宏顺, 阮可青, 李鹏程, 李慧玲, 柴一晟, 曹烈兆
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-07-13
  • 刊出日期:  2005-04-03

La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率

  • 1. 中国科学技术大学结构分析开放实验室,物理系,合肥230026
    基金项目: 

    国家重点基础研究项目 (批准号 :G199906 46 )资助的课题~~

摘要: 测量了高质量的单晶膜La2-xSrxCuO4(x=010,020,025)的电阻率和热电势.La19Sr01CuO4电阻率呈现S型行为,表明存在一个赝能隙,在赝能隙态可以用公式ρ=ρ0+βexp(-ΔT)很好地拟合.热电势的测量表明,在超导转变前样品的残余热电势值非常小,这是膜的高质量引起的,三个样品在200K以上都出现一个宽峰,对其进行了一些理论模型分析,并与电子型超导体热电势结果作了比较.

English Abstract

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