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氮化铝单晶薄膜的ECRPEMOCVD低温生长研究

杨大智 秦福文 顾 彪 徐 茵

氮化铝单晶薄膜的ECRPEMOCVD低温生长研究

杨大智, 秦福文, 顾 彪, 徐 茵
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-06-13
  • 修回日期:  2002-09-09
  • 刊出日期:  2003-05-20

氮化铝单晶薄膜的ECRPEMOCVD低温生长研究

  • 1. (1)大连理工大学材料科学与工程系,大连 116024; (2)大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,大连 116024;大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连 116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69976008)资助的课题.

摘要: 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在c轴取向的蓝宝石即αAl2O3(0001)衬底上,以氮化镓(GaN)缓冲层和外延层作为初始层,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜.并利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和x射线衍射(XRD)等测量结果,研究了氢等离子体清洗、氮化和GaN初始层对六方AlN外延层质量的影响,从而获得解理性与αAl2O3衬底一致的六方相AlN单晶薄膜,其XRD半高宽为1

English Abstract

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