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AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用

刘 鲁 范广涵 曹明德 陈贵楚 陈练辉 廖常俊

AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用

刘 鲁, 范广涵, 曹明德, 陈贵楚, 陈练辉, 廖常俊
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-10-08
  • 修回日期:  2002-12-13
  • 刊出日期:  2003-05-20

AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用

  • 1. (1)华南师范大学信息光电子科技学院金属有机化合物气相沉积实验室,广州 510631; (2)华南师范大学信息光电子科技学院量子电子研究所,广州 510631
    基金项目: 

    广州市科技重点计划项目(批准号:1999z03501)资助的课题

摘要: 引入渐变理论,通过建立AlGaInP四元系材料渐变异质结能带简单模型,分析在渐变长度相同、不同渐变方式下导带边的情况.分析不同掺杂浓度下,渐变区长度变化对势垒尖峰值和n区电势能之间差值的影响.讨论了渐变方式引入高亮度发光二极管(HBLED)器件的作用和意义.

English Abstract

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