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质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究

陈贵宾 李志锋 蔡炜颖 何 力 胡晓宁 陆 卫 沈学础

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质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究

陈贵宾, 李志锋, 蔡炜颖, 何 力, 胡晓宁, 陆 卫, 沈学础

Study of the current-voltage characteristics of n-on-p junction fabricated by pr oton-implanted molecular beam epitaxial Hg1-xCdxTe

Chen Gui-Bin, Li Zhi-Feng, Cai Wei-Ying, He Li, Hu Xiao-Ning, Lu Wei, Shen Xue-Chu
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  • 基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(5 00μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结,并对相应的p-n结的电流-电压(I-V)特性进行 了研究.质子注入剂量为2×1015cm-2时R0A达312.5Ω ·cm2,低温热处理后达490Ω·cm2.
    Large area n-on-p structures of p-n junction with different proton implantation doses are fabricated on the moleculer beam epitaxial grown HgCdTe films for mid-infrared wavelength region. Current-voltage characteristics of the p-n junction are measured at 77K. The zero-bias resistance-area product (R0A ) of 312.5Ω·cm2 is obtained when the proton implantation dose is 2×10 15cm-2, and R0A increases to 490Ω·cm2 after ann ealing at low temperatures.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10074068, 60244002)和国家重点基础研究项目(批准号:G199 8061404)资助的课题.
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  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2002-07-09
  • 修回日期:  2002-10-31
  • 刊出日期:  2003-03-05

质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究

  • 1. (1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10074068, 60244002)和国家重点基础研究项目(批准号:G199 8061404)资助的课题.

摘要: 基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(5 00μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结,并对相应的p-n结的电流-电压(I-V)特性进行 了研究.质子注入剂量为2×1015cm-2时R0A达312.5Ω ·cm2,低温热处理后达490Ω·cm2.

English Abstract

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