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氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析

罗 志 林璇英 林舜辉 余楚迎 林揆训 余云鹏 谭伟锋

氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析

罗 志, 林璇英, 林舜辉, 余楚迎, 林揆训, 余云鹏, 谭伟锋
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-02-20
  • 修回日期:  2002-05-10
  • 刊出日期:  2005-04-03

氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析

  • 1. 汕头大学物理系,汕头 515063
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028200)资助的课题.

摘要: Fourier红外透射(FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜中氢的含量(CH)及硅—氢键合模式(Si-Hn)最有效的手段.对用等离子体化学气相沉积(PCVD)方法在不同的衬底温度(Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析,得到了薄膜中的氢含量,硅氢键合模式及其组分,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律.

English Abstract

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