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单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件

张志勇 王太宏

单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件

张志勇, 王太宏
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  • 传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值,并且MOSFET使单电子晶体管(SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小.利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器,该存储器原理上是无穷多值的.并且利用它的折叠的I-V特性,实现了一个4位的Flash A/D转换器,与传统的Flash A/D转换器相比,SET-MOSFET的A/D转换器大大地简化了电路.
    • 基金项目: 国家重点基础研究专项基金(批准号:G2001C B3095)和国家自然科学基金(批准号:6992541 0)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-09-16
  • 修回日期:  2002-10-20
  • 刊出日期:  2003-07-20

单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件

  • 1. 中国科学院物理研究所,北京 100080
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:G2001C B3095)和国家自然科学基金(批准号:6992541 0)资助的课题.

摘要: 传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值,并且MOSFET使单电子晶体管(SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小.利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器,该存储器原理上是无穷多值的.并且利用它的折叠的I-V特性,实现了一个4位的Flash A/D转换器,与传统的Flash A/D转换器相比,SET-MOSFET的A/D转换器大大地简化了电路.

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