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自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算

李统藏 刘之景 王克逸

自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算

李统藏, 刘之景, 王克逸
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-01-17
  • 修回日期:  2003-03-10
  • 刊出日期:  2003-11-20

自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算

  • 1. (1)中国科学技术大学近代物理系,合肥 230026; (2)中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,合肥 230027
    基金项目: 

    中国科学技术大学物理系在读学生.

摘要: 对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算.所得结果与最新实验结果相符,并发现偏压适中、绝缘层较厚时 有较大的电流自旋极化率,偏压很小时电流自旋极化率几乎为零.

English Abstract

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