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Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

池田弥央 宫崎诚一 彭英才

Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

池田弥央, 宫崎诚一, 彭英才
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-14
  • 修回日期:  2003-03-12
  • 刊出日期:  2003-12-20

Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

  • 1. (1)广岛大学电气工学系,大学院先端物质科学研究科,日本广岛; (2)河北大学电子信息工程学院,保定 071002;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    河北省自然科学基金(批准号:503125,500084)资助的课题.

摘要: 采用低压化学汽相沉积(LPCVD)方法,依靠纯SiH4气体分子的表面热分解反应, 在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2表面上,自组织生长了Si纳米量子点. 实 验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2表面的反应活性位置数、沉积温度以及反应气 压的变化关系. 依据LPCVD的表面热力学过程,定性地分析了Si纳米量子点的形成机理.研究结果对具有密度分布均匀和晶粒尺寸可控的Si纳米量子点的自组织生长,以及Si基新型量子电子器

English Abstract

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