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螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜

于 威 刘丽辉 侯海虹 丁学成 韩 理 傅广生

螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜

于 威, 刘丽辉, 侯海虹, 丁学成, 韩 理, 傅广生
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-07-23
  • 修回日期:  2002-09-18
  • 刊出日期:  2005-04-03

螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜

  • 1. 河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
    基金项目: 

    河北省自然科学基金(批准号:100064)资助的课题.

摘要: 利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅(SiN)薄膜沉积,并研究了实验参量对薄膜特性的影响.利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量.结果表明,采用HWP-CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜,所沉积的薄膜主要表现为Si—N键合结构.采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率,并使薄膜的致密性增加.适当提高N2/SiH4比例有利于薄膜中H含量的降低.

English Abstract

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