搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究

刘红侠 郝 跃 张 涛 郑雪峰 马晓华

AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究

刘红侠, 郝 跃, 张 涛, 郑雪峰, 马晓华
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2951
  • PDF下载量:  1017
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2002-07-30
  • 修回日期:  2002-09-04
  • 刊出日期:  2003-02-05

AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国防预研基金(批准号:OOJ8.4.3DZ01)资助的课题.

摘要: 利用二维器件模拟软件MEDICI对AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管器(PHEMT)件进行了仿真,研究了PHEMT器件的掺杂浓度与电子浓度分布,PHEMT器件内部的电流走向及传输特性,重点研究了不同温度和不同势垒层浓度情况下PHEMT器件的kink效应.研究结果表明:kink效应主要与处于高层深能级中的陷阱俘获/反俘获过程有关,而不是只与碰撞电离有关.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回