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内电场对纳米硅光致发光谱的影响

黄凯 王思慧 施毅 秦国毅 张荣 郑有炓

内电场对纳米硅光致发光谱的影响

黄凯, 王思慧, 施毅, 秦国毅, 张荣, 郑有炓
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-07-09
  • 修回日期:  2003-08-19
  • 刊出日期:  2004-02-05

内电场对纳米硅光致发光谱的影响

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室, 南京 210093
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:G2001CB309)和国家自然科学基金(批准号:60206001,60290084,60225014)资助的课题.

摘要: 从量子限制发光中心模型出发,计算了纳米硅的光致发光(PL)特征与发光中心间的关系. 研究发现,纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响. 在2—5 nm的尺寸范围内,纳米硅发光中心上的载流子复合概率远大于内部复合概率,仅需考虑发光中心上的载流子复合发光. 还发现发光中心与纳米硅粒子间的内电场对于纳米硅的发光峰位振荡有着显著的影响.发光中心与纳米硅粒子间的内电场的存在会显著减小纳米硅粒子的内部发光效率以及外部相应发光中心上的发光强度,使得纳米硅PL谱的峰位随纳米晶粒尺寸变化而发生

English Abstract

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