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单电子三势垒隧穿结I-V特性研究

刘彦欣 王永昌 杜少毅

单电子三势垒隧穿结I-V特性研究

刘彦欣, 王永昌, 杜少毅
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-05-26
  • 修回日期:  2003-10-13
  • 刊出日期:  2004-04-05

单电子三势垒隧穿结I-V特性研究

  • 1. 西安交通大学理学院,西安 710049

摘要: 在正统理论的基础上,提出了单电子三势垒隧穿结模型的主方程,并用线性方程组解法求出了其稳态解.通过数值模拟,得到了该系统的I-V特性曲线.发现其有别于双势垒隧穿结的情况,在传统库仑台阶的平台处曲线存在波纹状结构,分析得出这是由于第二个库仑岛上的电子数变化对I-V曲线的影响.此外,研究了各物理参数对I-V曲线的影响,发现三结系统可以降低对温度的要求,并应用Fermi能级处的能级间隔估算出出现库仑台阶现象的最高温度Tmax,为相关单电子器件的参数选择提供了理论依据.

English Abstract

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