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浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估

何宝平 郭红霞 龚建成 王桂珍 罗尹虹 李永宏

浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估

何宝平, 郭红霞, 龚建成, 王桂珍, 罗尹虹, 李永宏
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-11-13
  • 修回日期:  2003-12-29
  • 刊出日期:  2004-09-16

浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估

  • 1. 西北核技术研究所,西安 710024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:40074032)资助的课题.

摘要: 利用60Coγ射线开展了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验, 研究了集成 电路功耗电流和出错数在不同剂量率下的辐射响应;按照定义的失效标准和外推实验技术, 探索了集成电路参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系;根据失效时间与辐射剂 量率的函数关系,预估了浮栅ROM集成电路AT29C256(9911)和AT29C256(9939)空间低剂量率辐射失效时间.

English Abstract

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