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129Xe30+轰击Ni表面激发靶原子偶极跃迁和禁戒 (M1和E2)跃迁的特征光谱线

李福利 张小安 赵永涛 杨治虎 肖国青 詹文龙

129Xe30+轰击Ni表面激发靶原子偶极跃迁和禁戒 (M1和E2)跃迁的特征光谱线

李福利, 张小安, 赵永涛, 杨治虎, 肖国青, 詹文龙
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-12-29
  • 修回日期:  2004-02-16
  • 刊出日期:  2004-10-15

129Xe30+轰击Ni表面激发靶原子偶极跃迁和禁戒 (M1和E2)跃迁的特征光谱线

  • 1. (1)西安交通大学应用物理系,西安 710049; (2)西安交通大学应用物理系,西安 710049;中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; (3)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:10134010)和国家自然科学基金(批准 号:10274058,10274088)资助的课题.

摘要: 报道了用高电荷态离子129Xe30+(150keV) 轰击金属Ni表面,激发的200—1000nm NiⅠ和NiⅡ的特征光谱线的实验结果.实验结果表明:用电荷态足够高的离子作光谱 激发源,无需很强的束流强度(nA量级),便可有效地产生原子和离子的复杂组态间跃迁所 形成的可见光波段的特征谱线,特别是NiⅠ和NiⅡ偶极禁戒的电四极跃迁E2和磁偶极跃迁M1 的特征光谱线.通过分析发现,在禁戒跃迁的谱线中,有些是电子组态相同而原子态不同的 偶极禁戒跃迁光谱线而且NiⅡ的684.84nm谱线较强.

English Abstract

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