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在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级

冉广照 陈 源 陈开茅 刘鸿飞 张晓岚

在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级

冉广照, 陈 源, 陈开茅, 刘鸿飞, 张晓岚
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-06-10
  • 修回日期:  2004-02-04
  • 刊出日期:  2004-10-15

在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级

  • 1. (1)北京大学物理学院,北京 100871; (2)北京有色金属研究院,北京 100088; (3)福州大学电子科学与应用物理系,福州 350002
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60376030)资助的课题.

摘要: 发展了恒温电容瞬态数据处理方法,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICT TS方法测量分析了C70固体/pGaAs异质结的深能级,结果发现在C70固体中存在两个很深的空穴陷阱,H C1和H2,它们的能级位置分别为Ev+0856eV和 Ev+1037eV.

English Abstract

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