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稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

贾 瑜 杨仕娥 马丙现 李新建 胡 行

稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

贾 瑜, 杨仕娥, 马丙现, 李新建, 胡 行
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  • 采用格林函数方法对具有稳定结构的GaAs(2 5 11)(1×1)表面的电子结构特性进行了计算. 结果表明:对于理想的GaAs(2 5 11)表面,基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域,即 -0.1—0.1eV,085—10eV和1.4—1.6eV之间;吸附两个As原子形成(1×1)再构后,表面态的变化主要表现在0.85—1.0eV之间的表面态完全消失.结合电子数目规则,可以确定处在 - 0.1—0.1eV之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的AsAs二聚体键的表 面态,而处在1.4—
    • 基金项目: 河南省自然科学基金(批准号:0111050400)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-10-20
  • 修回日期:  2004-02-10
  • 刊出日期:  2004-05-05

稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

  • 1. 郑州大学物理工程学院,郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州 450052
    基金项目: 

    河南省自然科学基金(批准号:0111050400)资助的课题.

摘要: 采用格林函数方法对具有稳定结构的GaAs(2 5 11)(1×1)表面的电子结构特性进行了计算. 结果表明:对于理想的GaAs(2 5 11)表面,基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域,即 -0.1—0.1eV,085—10eV和1.4—1.6eV之间;吸附两个As原子形成(1×1)再构后,表面态的变化主要表现在0.85—1.0eV之间的表面态完全消失.结合电子数目规则,可以确定处在 - 0.1—0.1eV之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的AsAs二聚体键的表 面态,而处在1.4—

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