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用分子束外延(MBE)方法在GaAs表面量子阱上外延生长不同厚度的Al层,以超高真空下的原位光调制光谱(PR)作为测量手段,研究Al扩散形成的表面势垒层对于GaAs表面量子阱中带间跃迁峰位和峰形的影响.根据跃迁峰的变化,采用有效质量近似理论计算出了Al和GaAs 的互扩散长度为0.5nm,这是半导体工艺中的一个重要常数.
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关键词:
- Al /
- GaAs /
- 原位光调制反射光谱(PR) /
- 分子束外延(MBE)
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