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激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜

乔 峰 黄信凡 朱 达 马忠元 邹和成 隋妍萍 李 伟 周晓辉 陈坤基

激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜

乔 峰, 黄信凡, 朱 达, 马忠元, 邹和成, 隋妍萍, 李 伟, 周晓辉, 陈坤基
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-12-30
  • 修回日期:  2004-03-18
  • 刊出日期:  2005-04-03

激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:90101020,10174035,90301009)、国家重点 基础研究发展规划(批准号: 2001CB610503)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号 :20010284035)资助的课题

摘要: 在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源,对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照,使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成,晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光(PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响.

English Abstract

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