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等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼

曾湘波 廖显伯 王 博 刁宏伟 戴松涛 向贤碧 常秀兰 徐艳月 胡志华 郝会颖 孔光临

等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼

曾湘波, 廖显伯, 王 博, 刁宏伟, 戴松涛, 向贤碧, 常秀兰, 徐艳月, 胡志华, 郝会颖, 孔光临
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-11-03
  • 修回日期:  2004-04-19
  • 刊出日期:  2004-06-05

等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼

  • 1. (1)清华大学物理系,原子分子纳米科学教育部重点实验室,北京 100084; (2)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60376026)资助的课题.

摘要: 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷 (SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.

English Abstract

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