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AlxGa1-x N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究

郑泽伟 沈 波 唐 宁 张 荣 施 毅 郑有炓 桂永胜 仇志军 蒋春萍 郭少令 褚君浩

AlxGa1-x N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究

郑泽伟, 沈 波, 唐 宁, 张 荣, 施 毅, 郑有炓, 桂永胜, 仇志军, 蒋春萍, 郭少令, 褚君浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-03-26
  • 修回日期:  2003-05-04
  • 刊出日期:  2004-01-05

AlxGa1-x N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究

  • 1. (1)解放军理工大学理学院,南京 211101;南京大学物理系,南京 210093; (2)南京大学物理系,南京 210093; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683),国家自然科学基金(批准号:60136020和60290080)和国家高科技研究发展计划项目(批准号:2002AA305304)资助的课题.

摘要: 通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0.22Ga0.78N/GaN调制掺杂异质结构中2DEG的子带占据性质和子带输运性质.在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象,并发现2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系.得到了该异质结构中第二子带被2DEG占据的阈值电子浓度为7.3×1012cm-2.采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率.发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移

English Abstract

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