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Cu-W薄膜表面形貌的分形表征与电阻率

汪 渊 徐可为

Cu-W薄膜表面形貌的分形表征与电阻率

汪 渊, 徐可为
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-03-21
  • 修回日期:  2003-06-23
  • 刊出日期:  2004-03-15

Cu-W薄膜表面形貌的分形表征与电阻率

  • 1. (1)西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安 710049; (2)西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安 710049;兰州铁道学院机械与动力学院,兰州 730070
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号: 59931010)和国家教育部骨干教师计划资助的课题.

摘要: 磁控溅射制备铜钨薄膜,用原子力显微镜和功率谱密度法分析薄膜生长表面形貌的分形维数,发现频段的选择基本不影响分形维数与溅射时间的关系.随溅射时间延长,薄膜厚度增加,分形维数增大,电阻率随分形维数的增大而升高.分析分形维数与电阻率的关系,认为对同一物质的导电薄膜,其表面形貌与电阻率存在对应关系.

English Abstract

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