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SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

马建华 孙璟兰 孟祥建 林 铁 石富文 褚君浩

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

马建华, 孙璟兰, 孟祥建, 林 铁, 石富文, 褚君浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-04-14
  • 修回日期:  2004-07-19
  • 刊出日期:  2005-03-17

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60221502和60223006)及上海市AM基金(批准号:0316)资助的课题.

摘要: 采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属绝缘体半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于001,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为15×1012cm-2和(14—35)×1012cm-2eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.

English Abstract

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