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甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究

张晓丹 赵 颖 高艳涛 朱 锋 魏长春 孙 建 王 岩 耿新华 熊绍珍

甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究

张晓丹, 赵 颖, 高艳涛, 朱 锋, 魏长春, 孙 建, 王 岩, 耿新华, 熊绍珍
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-07-15
  • 修回日期:  2004-12-15
  • 刊出日期:  2005-04-19

甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划 (批准号:G2000028202,G2000028203)、教育部国际科技合作项目(批准号:2002DFG00051)和国家高技术研究发展计划 (批准号:2002AA303261) 资助 的课题.

摘要: 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池.电池的J-V测试结果表明:在实验的硅烷浓度和功率范围内,随硅烷浓度的降低和功率的加大,对应电池的开路电压逐渐变小;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密 度有很大的影响,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著.对于微晶硅电池,N层最好 是非晶硅,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应,另一方面也降低了电池的漏电概率,提高了电池的填充因子.

English Abstract

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