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利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

周炳卿 刘丰珍 朱美芳 谷锦华 周玉琴 刘金龙 董宝中 李国华 丁 琨

利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

周炳卿, 刘丰珍, 朱美芳, 谷锦华, 周玉琴, 刘金龙, 董宝中, 李国华, 丁 琨
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-08-10
  • 修回日期:  2004-09-16
  • 刊出日期:  2005-05-10

利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京 100039; (3)中国科学院研究生院物理系,北京 100039; (4)中国科学院研究生院物理系,北京 100039;内蒙古师范大学物理系,呼和浩特 010022
    基金项目: 

    国家基础发展规划(973)项目基金(批准号:G2000028208)和中国科学院高能物理研究所 北京同步辐射实验室资助的课题.

摘要: 采用x射线小角散射(SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)、 热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅( μc-Si:H)薄膜的微结构.实验发现,在相同晶态比的情况下,PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微 空洞体积比小,结构较致密,HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大,结构较为疏松,PE -HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜,由于等离子体的敲打作用,与HWCVD样品相比,微结构得到明 显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜,实验表明,微结 构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示,不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空 洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果.

English Abstract

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