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FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

杨 帅 李养贤 马巧云 徐学文 牛萍娟 李永章 牛胜利 李洪涛

FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

杨 帅, 李养贤, 马巧云, 徐学文, 牛萍娟, 李永章, 牛胜利, 李洪涛
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-10-18
  • 刊出日期:  2005-05-10

FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

  • 1. (1)河北工业大学材料科学与工程学院,天津 300130; (2)天津工业大学信息与通信学院,天津 300160; (3)中国原子能科学研究院,北京 102413
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50032010,50472034)和河北省自然科学基金重点项目(批准号 :601047,E2005000048)资助的课题.

摘要: 快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400—450℃热处理后,空位_双氧复合体(VO2)是其 主要 的缺陷.在300—500℃热处理快中子辐照的CZ_Si后,IR光谱中有919.6cm-1和 1006cm-1两个吸收峰伴随VO2(889cm-1)出现,这两个IR吸收 峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的,此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个 间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度,都 会使(O -V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在1019数量级,经400—450℃热处 理所形成的缺陷主要为多空位型,而VO2被抑制.

English Abstract

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