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立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究

邱海林 曹传宝 朱鹤孙 方 鲲 高善民

立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究

邱海林, 曹传宝, 朱鹤孙, 方 鲲, 高善民
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-01-09
  • 修回日期:  2004-09-23
  • 刊出日期:  2005-05-10

立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究

  • 1. (1)北京理工大学材料科学研究中心, 北京 100081; (2)北京理工大学材料科学研究中心, 北京 100081;北京科技大学材料科学与工程学院, 北京 100083; (3)烟台师范学院化学与材料科学学院,烟台 264025
    基金项目: 

    高校博士点研究基金(批准号,20020007029)资助的课题.

摘要: 在氮气氛中,以GaP纳米晶为原料,在相对较低的反应温度下,通过N-P取代的气相化学反应 制备立方相β-GaN纳米晶.这是由于GaP纳米晶具有较大的比表面积和表面众多的空位键,使 之具有较高的反应活性造成的.不同升温速率造成不同的化学反应机理,从而生成不同形貌 的β-GaN纳米晶材料.

English Abstract

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