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电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

王晓强 栗军帅 陈 强 祁 菁 尹 旻 贺德衍

电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

王晓强, 栗军帅, 陈 强, 祁 菁, 尹 旻, 贺德衍
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-03-05
  • 修回日期:  2004-06-11
  • 刊出日期:  2005-01-19

电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

  • 1. 兰州大学物理系,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10175030)和北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室基 金资助的课题.

摘要: 利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高,而且具有良好的(111)结晶取向性,晶粒尺寸大于300nm,样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理.

English Abstract

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