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FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究

陈卫平 萧淑琴 王文静 姜 山 刘宜华

FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究

陈卫平, 萧淑琴, 王文静, 姜 山, 刘宜华
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-09-08
  • 修回日期:  2004-11-29
  • 刊出日期:  2005-03-05

FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究

  • 1. (1)山东大学物理与微电子学院,济南 250100; (2)浙江台州学院物理系,临海 317000;山东大学物理与微电子学院,济南 250100
    基金项目: 

    山东省优秀中青年科学家科研奖励基金和山东大学青年基金资助项目.

摘要: 研究了结构为 (FM/SiO2)3/Ag/(SiO2/FM)3 多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应(这里的F M≡FeCuCrVSiB).多层膜采用射频溅射法沉积在单晶Si衬底上,沉积过程中,沿膜面长方 向施加约72kA/m的磁场,然后在不同的温度下对样品进行了退火处理.结果表明,该多层膜 样品即使在沉积态便具有相当好的软磁性能和GMI效应,在7MHz的频率下,最大纵向和横向 巨磁阻抗比分别为45%和44%.在230℃下经90min退火处理后的样品具有最佳的GMI效应,在85MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别达到251%和277%.与磁性层总厚度相同的FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB三层膜相比较,在这种多层结构中出现的GMI效应更强.

English Abstract

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